Nuevos módulos SiC-MOSFET con SBD integrado
Aicox Soluciones y Mitsubishi Electric presentan dos nuevos módulos SiC-MOSFET con SBD integrado.
Mitsubishi Electric Corporation informa que ha comenzado a distribuir versiones de baja corriente de 3,3 kV/400 A y 3,3 kV/200 A de un módulo de transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) de carburo de silicio (SiC) con diodo de barrera Schottky (SBD) integrado para grandes equipos industriales, como material rodante y sistemas de energía eléctrica.
Junto con la versión existente de 3,3kV/800A, la nueva serie UnifullTM comprende tres módulos para satisfacer la creciente demanda de inversores capaces de aumentar la potencia de salida y la eficiencia de conversión de potencia en grandes equipos industriales.
Los módulos SiC-MOSFET con SBD integrado de Mitsubishi Electric, incluida la versión de 3,3 kV/800 A lanzada el 29 de marzo, presentan una estructura de encapsulado optimizada para reducir la pérdida de conmutación y mejorar el rendimiento del SiC. En comparación con los módulos de potencia existentes, los módulos UnifullTM reducen significativamente la pérdida de conmutación y contribuyen a una mayor salida de potencia y eficiencia en grandes equipos industriales, lo que los hace adecuados para fuentes de alimentación auxiliares en vagones de ferrocarril y sistemas de accionamiento con capacidades relativamente pequeñas.
